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Vishay用于高溫作業(yè)的N通道MOSFET

發(fā)布時間:2012-06-27

產(chǎn)品特性:
  • 10V,1A(2N6660),1.3Ω(典型值)導(dǎo)通電阻
  • 1.6V(典型值)柵源閾值電壓
  • 8ns(典型值)導(dǎo)通延遲 (2N6660)
  • 6ns(典型值)導(dǎo)通延遲 (2N6661)
適用范圍:
  • 繼電器、螺線管、燈具、錘子和顯示驅(qū)動程序
  • 固態(tài)繼電器
  • 軍事和航空航天設(shè)備

Vishay已發(fā)布通過JAN認證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級 N 通道功率 MOSFET。提供低導(dǎo)通電阻和快速切換時間,器件被封裝在一個密封的TO-205AD 中,可以承受軍事和航空航天領(lǐng)域經(jīng)受的高溫。

該部件通過認證符合MIL-PRF-19500 規(guī)范,此標準建立了構(gòu)建軍事系統(tǒng)和關(guān)鍵航空電子應(yīng)用所使用分立元件的性能、質(zhì)量和可靠性要求。按照 MIL-PRF-19500,
對 2N6660JANTXV 和2N6661JANTXV 部分進行了 100% 的內(nèi)部視覺(前蓋)檢查。

應(yīng)用:

TTL/CMOS 邏輯級接口
繼電器、螺線管、燈具、錘子和顯示驅(qū)動程序
固態(tài)繼電器
軍事和航空航天設(shè)備

特點:

10V,1A(2N6660),1.3Ω(典型值)導(dǎo)通電阻
1.6V(典型值)柵源閾值電壓
8ns(典型值)導(dǎo)通延遲 (2N6660)
6ns(典型值)導(dǎo)通延遲 (2N6661)
低輸入和輸出泄漏
35pF(典型值)輸入電容
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