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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET

發(fā)布時間:2009-08-03

產(chǎn)品特性:
  • 在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.27Ω
  • 柵電荷只有65nC,品質(zhì)因數(shù)僅為17.75
  • 可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電流
應(yīng)用范圍:
  • LCD TV、PC機、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和焊接機器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的額定電壓,在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.27Ω。低RDS(on)意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而為各種電子系統(tǒng)中的功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PMW)應(yīng)用節(jié)約能量,這些應(yīng)用包括LCD TV、PC機、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和焊接機器。

除了低導(dǎo)通電阻,這些器件的柵電荷只有65nC。柵電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是評價用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM),這些器件的品質(zhì)因數(shù)只有17.75。

為提高操作的可靠性,器件經(jīng)過了100%的雪崩測試,可承受高單脈沖(EAS)和反復(fù)(EAR)雪崩能量。器件可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電流。所有這三款器件均具有有效的輸出電容規(guī)格。與前一代500V功率MOSFET相比,新器件在跨導(dǎo)和反向恢復(fù)特性上也有所改進。

SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供無鉛端子,采用TO-220和FULLPAK封裝。SiHG20N50C提供無鉛的TO-247封裝。新器件現(xiàn)可提供樣品,將于2009年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。
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