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IR推出新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET

發布時間:2011-05-25 來源:佳工機電網

產品特性:
  • 可將引線電阻降至不到0.5 mΩ
  • 電流承載能力高、引線溫度低、傳輸導通電阻少
  • 環保、無鉛、符合RoHS
應用范圍:
  • 低導通電阻(Rds(on))的通用大負荷/高功率通孔
  • 內燃機(ICE)汽車電動助力轉向系統和電池開關
  • 各類微型和全混合動力汽車
 
 
全球功率半導體和管理方案供應商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列,與傳統的TO-262封裝相比,可減少 50%引線電阻,并提高30%電流。

這款新型車用MOSFET系列適合需要低導通電阻(Rds(on))的通用大負荷/高功率通孔應用,內燃機(ICE)汽車電動助力轉向系統和電池開關,以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用IR先進的硅和封裝技術,在顯著提高性能的同時可與現有的設計標準相匹配。

在標準TO-262通孔封裝中,除了MOSFET導通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新WideLead TO-262通孔封裝可將引線電阻降至不到0.5 mΩ,大大減少了引線中的傳導損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統的TO-262封裝的電流承載能力高30%。根據評估,在直流電為40A和60A的條件下,WideLead引線溫度比標準TO-262分別低30%和39%。此外,隨著其它封裝技術的提高,WideLead比標準TO-262封裝中的同等MOSFET少傳輸20%導通電阻。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“新型WideLead TO-262封裝的設計靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,以及傳統TO-262封裝的各種局限性。IR新型WideLead封裝中的MOSFET新系列在傳輸高電流的同時,大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量,從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念,并經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。

新器件符合AEC-Q101標準,是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的。它環保、無鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

有關產品現已接受批量訂單。

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