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用于鋰離子電池保護電路的N溝道低導通電阻MOSFET

發布時間:2012-12-13 責任編輯:easonxu

【導讀】東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET,可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能和高抗雪崩性能。


東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品采用最新的第八代工藝打造,可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產品系列中,成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助于降低設備厚度和總體尺寸,并可提高效率。

規格

應用
 
鋰離子電池保護電路
手機電源管理開關 
 
主要特點
 
由于采用了最新的第八代工藝,因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能。
高抗雪崩性能。
 

 

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