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IGBT門極驅動到底要不要負壓
先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內首部車用IGBT標準
隨著新能源汽車行業的蓬勃發展，越來越多的IGBT產品應運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導體器件，對于Tier1和OEM的產品可靠性及其成本至關重要。本文將從汽車行業的IGBT模塊環境試驗的要求出發，介紹汽車級功率半導體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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東芝低功耗IGBT持續助力家電市場
IGBT因其優異的電氣屬性和性價比在業界被廣泛應用，特別是在工業控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發的具備低功耗節能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產品能耗進一步降低。
2022-04-30
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IGBT驅動電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
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多功能預驅動器，為中高電流驅動器提供全方位保護
關于IGBT／MOSFET預驅動器，相信做電機驅動或者大功率設備驅動的工程師都會有所了解，所謂預驅動器，其實就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負載及驅動器提供保護，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預驅動器一般會使用運放，MOS或者三極管等搭建，在實現保護驅動器和微控制器的前提之下，還實現了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準電壓做比較，實現狀態診斷；那么大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預驅動器么？東芝針對IGBT／MOSFET產品以及光耦應用技術深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預驅動器——TLP5231，就是東芝半導體系列產品線的補充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驅動器！原來，GaN電源系統性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小、抗輻射能力強……因此可實現更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統的硅基IGBT和MOSFET器件發起強勁的沖擊。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驅動
要了解什么是IGBT驅動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響，以及評估應力和局部放電（PD）帶來的損傷的實驗結果。
2022-01-27
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