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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領域的應用對比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術的發展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應用范圍正在擴大，本文將針對IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領域的應用進行對比。
2013-05-08
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IGBT市場能否迎來“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。國內市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。但隨著各國政府都將削減可再生能源及交通等領域的支出，IGBT市場還能再度增長嗎？
2013-05-03
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業應用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設計用于大功率、高性能的工業應用。
2013-04-07
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術，它可以在更高的溫度下轉換更高的電壓和電流。它允許更高的開關頻率，但能保持相同或更低的開關和導通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。
2013-03-29
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突破傳統的IGBT系統電路保護設計
目前，在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題。 本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2013-03-25
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飛兆半導體推出可簡化設計的智能柵極驅動光電耦合器
飛兆半導體推出具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅動光電耦合器。該器件是一個先進2.5A的輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可驅動大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-22
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如何精簡、低成本的保護馬達驅動器中的IGBT
IGBT目前被廣泛應用在馬達或可再生能源系統中的電源轉換器上，雖然有多種不同技術可以用于IGBT驅動，但柵極驅動光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力，因此成為最佳成本效益的選擇。為了強化這類高電壓且快速切換應用的可靠度與安全性，整合型柵極驅動光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護更精簡、成本更低并且更加容易實現。
2013-03-08
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如何根據IGBT的驅動要求設計過流保護？
本文介紹一種采用分立元件組成的驅動電路設計，可以降低整個系統的成本。該驅動電路能夠為IGBT提供+15v和-5V驅動電壓確保IGBT的開通和關斷。同時具有過流保護功能，當過流時，保護電路起作用，及時的關斷IGBT，防止IGBT損壞，本電路的可根據負載的需要動態調節最大電流，可以有很廣的使用范圍。
2013-03-07
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IGBT是什么？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2013-02-22
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瑞薩發布擁有世界頂級超高開關速度的光電耦合器
瑞薩電子宣布發布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管（IGBT）保護功能的全新光電耦合器：PS9332L 和 PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業機械和太陽能系統等應用條件。
2013-02-07
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飛兆用于高功率感應加熱應用的陽極短路型IGBT
高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能，以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高的效率和系統可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設計挑戰為設計人員提供經濟實惠且高效的解決方案。
2013-02-03
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應用于數碼相機的分立式IGBT，切換時間縮短三分之二
東芝推出一種分立式IGBT，具有快速切換能力，主要應用于數碼相機閃光燈。
2013-01-28
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