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羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗點火IGBT器件，可將VSAT降低多達20%
為了滿足現今和新興點火系統對排放和高燃油效率的嚴苛要求，汽車設計人員需要更高性能的點火線圈驅動器技術。為幫助設計人員滿足這些要求，飛兆半導體公司推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅動器可將VSAT降低多達20%，而不會顯著降低自箝位感性負載開關的能量。這項優化特性減低了功耗和工作結溫，并降低了對散熱器的要求。
2012-06-04
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IR 600V車用COOLiR IGBT開關速度比肩MOSFET
國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關速度運行，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-30
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英飛凌推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產品，所以能夠實現整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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IR針對EV|HEV推出600V超高速開關、耐用高頻IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關速度運行，同時在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-23
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BM6103FV-C:羅姆推出業內最小車載用內置絕緣元件的柵極驅動器
日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部位于日本京都市）開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。
2012-05-22
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業界最小！羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器
羅姆株式會社開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業界最小(截至2012年5月22日,根據羅姆的調查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量。
2012-05-22
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。
2012-05-21
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大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護方案
隨著電力電子器件制造技術的發展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅動功率小、開關損耗低及工作頻率高等特點，而越來越多地應用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環節就是高性能的過流保護電路的設計。專用驅動模塊都帶有過流保護功能。一些分立的驅動電路也帶有過電流保護功能。在工業應用中，一般都是利用這些瞬時過電流保護信號，通過觸發器時序邏輯電路的記憶功能，構成記憶鎖定保護電路，以避免保護電路在過流時的頻繁動作，實現可取的過流保護。本文分析了大功率可控整流電壓型逆變器中封鎖驅動及整流拉逆變式雙重保護電路結構。
2012-05-17
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實現兆瓦級太陽能與風力發電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發售為實現低碳社會，有效利用可再生能源的太陽能發電和風力發電等兆瓦級大規模發電系統的建設正在不斷增加，對功率調節器等電力轉換設備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實現發電系統進一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
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UCC2751x：德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。
2012-04-25
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突破傳統的新型IGBT系統電路保護設計
目前在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式，所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題。本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2012-04-19
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