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SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展，華為 華天 長(zhǎng)電 上海華力等頭部企業(yè)6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會(huì)展有限公司聯(lián)合中國(guó)通信工業(yè)協(xié)會(huì)、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、東莞巿集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：SEMI-e）將在深圳會(huì)展中心4.6.8號(hào)館盛大召開(kāi)，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，展示以設(shè)計(jì)、芯片、晶圓制造與封裝，半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件，先進(jìn)材料，第三代半導(dǎo)體/IGBT，汽車半導(dǎo)體/車規(guī)級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，全面展示了半導(dǎo)體行業(yè)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新亮點(diǎn)、新趨勢(shì)，構(gòu)建起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流融合的新生態(tài)。展出面積60,000平方米，800家超高質(zhì)量展商齊聚，打造華南半導(dǎo)體領(lǐng)域最具有影響力和代表性的行業(yè)盛會(huì)。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項(xiàng)技術(shù)更進(jìn)一步。這些器件基于獨(dú)特的“共源共柵結(jié)構(gòu)”電路配置，將一個(gè)常開(kāi)型SiC JFET器件與一個(gè)硅基MOSFET共同封裝，形成一個(gè)集成的常關(guān)型SiC FET器件。在接下來(lái)的段落中，我們將詳細(xì)闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET（共源共柵結(jié)構(gòu)FET）相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-04-15
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如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)？
電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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【第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體等四場(chǎng)熱門(mén)盛會(huì)6月齊聚深圳，論壇議程搶先看！】
深圳，這座中國(guó)科技創(chuàng)新的璀璨明珠，即將在2024年6月26日至28日迎來(lái)一場(chǎng)科技盛宴。SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體暨應(yīng)用展覽會(huì)（SEMI-e)即將于深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）4.6.8號(hào)館開(kāi)啟，并分別舉辦2024中國(guó)汽車半導(dǎo)體大會(huì)、第五屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰技術(shù)論壇以、第六屆深圳半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會(huì)及第二屆人工智能——算力/算法/存儲(chǔ)大會(huì)暨展示會(huì)，四場(chǎng)熱門(mén)盛會(huì)齊聚一堂，聚焦半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域: 汽車半導(dǎo)體、IGBT、Al算力、算法、存儲(chǔ)、電源及儲(chǔ)能、Mini/Micro-LED 等各種最新應(yīng)用解決方案。
2024-03-18
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如何測(cè)量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)電流測(cè)量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測(cè)量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開(kāi)關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢(shì)，而開(kāi)始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測(cè)量。下一代隔離調(diào)制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。
2024-03-11
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是2us。
2024-02-01
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門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
無(wú)論是MOSFET還是IGBT，都是受門(mén)極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門(mén)極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T(mén)極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門(mén)極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過(guò)相同電流的壓降就越低。不過(guò)器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門(mén)極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越薄的導(dǎo)通損耗越小，所以同等芯片面積下寬禁帶的器件導(dǎo)通損耗要小得多。而相同材料下耐壓越高的器件就會(huì)越厚，導(dǎo)通損耗就會(huì)變大。這種由芯片厚度引起的導(dǎo)通損耗不受門(mén)極電壓影響，所以器件耐壓越高，門(mén)極電壓即使進(jìn)一步增大對(duì)導(dǎo)通損耗貢獻(xiàn)是有限的。
2024-01-29
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IGBT如何進(jìn)行可靠性測(cè)試？
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。
2024-01-24
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計(jì)（如開(kāi)關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的確定、熱管理和效率評(píng)估）提供了參考依據(jù)，那么對(duì)于三電平電路，雙脈沖測(cè)試需要怎么做呢？
2024-01-24
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高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性
在電機(jī)應(yīng)用中，必須采用逆變器或轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換，采用高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器，將有助于提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性，這對(duì)高功率、高速電機(jī)系統(tǒng)尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅(qū)動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換器的相關(guān)技術(shù)，以及由Murata（村田制作所）所推出的一系列高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能特性。
2024-01-19
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