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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
2023-06-26
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SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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滿足當今電源需求的全系列柵極驅動電源產(chǎn)品
電源是電子設備的基礎，其中的柵極驅動器是穩(wěn)定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅動輸入。本文將為您介紹柵極驅動電源與DC-DC轉換器的技術概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅動電源產(chǎn)品系列的功能特性。
2023-06-02
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安森美和上能電氣攜手引領可持續(xù)能源應用的發(fā)展
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布上能電氣（Sineng Electric）將在其公用事業(yè)級太陽能逆變器和引領業(yè)界的200 kW 儲能系統(tǒng)（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊（PIM）。兩家公司合作開發(fā)的優(yōu)化方案，將最大程度地提高太陽能逆變器及儲能變流器的性能。
2023-05-17
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IGBT模塊是如何失效的？
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-05-11
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瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當?shù)貢r間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產(chǎn)品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產(chǎn)品實力和對未來電力電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發(fā)工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現(xiàn)場。
2023-05-10
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1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）
本文介紹了針對電機驅動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設計，其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2023-05-04
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為什么IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此，如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
2023-04-29
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快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設計的開發(fā)者一直追求的目標。現(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(shù)(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數(shù)校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
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