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如何通過3D打印微型磁環來集成EMI抑制？
在物聯網終端、可穿戴設備和微型傳感器中，電磁干擾（EMI）如同隱形的“信號殺手”，威脅著系統可靠性。傳統EMI抑制方案依賴外置濾波器或金屬屏蔽罩，但這些方法因體積大、兼容性差而難以適配現代微型化需求。3D打印微型磁環技術應運而生，通過高精度打印與磁性材料的完美結合，將EMI抑制功能直接集成至毫米級封裝內，實現“隱形防護”。本文將深度解析該技術的實現路徑，涵蓋材料選型、結構設計、打印工藝到系統集成的全鏈路方案。
2025-06-16
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如何優化超低噪聲μModule穩壓器的二階輸出濾波器
噪聲敏感器件的功耗不斷提高。醫療超聲成像系統、5G收發器和自動測試設備(ATE)等應用需要在面積較小的PCB上實現高輸出電流（＞5 A）、低噪聲水平和高帶寬。由于對輸出電流的需求較高，以前使用的傳統雙級（降壓+低壓差(LDO)穩壓器）解決方案需要的PCB面積較大，導致功耗較高，因此不太受歡迎。
2025-03-13
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基于 MHz 開關頻率的器件助力實現 DC-DC 轉換器和 EMI 濾波器的小型化
對于 DC-DC 電源轉換器而言，使系統小型化并提高整體功率密度的一種顯著方法是通過更高頻率的開關。然而，盡管開關頻率超過 1.3 MHz 的系統具有潛在優勢，但迫于技術挑戰，許多設計人員直到現在仍在使用較低的頻率，例如 100 kHz 或更低……。閱讀本文了解使用高密度電源模塊進行設計如何改變這一現狀。
2025-03-04
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三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導體龍頭企業（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現在中國本地生產8英寸碳化硅這一目標穩步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。
2025-02-27
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學子專區 － ADALM2000實驗：多相濾波電路
本實驗活動的目標是研究多相濾波器作為正交信號生成技術，并生成差分可調諧放大器，去創建一個多相放大器或者濾波器，能夠生成輸入信號源的四個正交相位（即以90°為增量的相位）。
2025-01-16
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電感器輸出，運算放大器輸入：二階有源濾波器簡介
有源濾波器當然有其優點。適用于一階和二階濾波器的突出的優點是改進的阻抗特性。運算放大器提供高輸入阻抗和低輸出阻抗，因此當輸入信號具有相對較高的源阻抗或輸出信號必須驅動相對較低的負載阻抗時，基于運算放大器的有源濾波器可以優于無源實現。
2025-01-02
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揭秘電動汽車中直流鏈路電容器的奧秘（上）
直流鏈路電容器在功率轉換器中扮演著中間緩沖器的角色，連接著輸入源與輸出負載，適應不同的瞬時功率、電壓和頻率。在電動汽車（EV）領域，它們不僅有效抵消逆變器、電機控制器及電池系統中電感的影響，還充當濾波器，為電動汽車子系統提供保護，抵御電壓尖峰、浪涌及電磁干擾（EMI）的侵害。
2024-10-29
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聊聊低通濾波器這個迷人的研究點
簡單的回答就是低通濾波器(lpf)允許低頻通過，同時阻斷高頻。最經典的例子就是音頻系統中的低音。低通濾波器允許低音傳遞到大低音，而高通濾波器(hpf)允許高頻音傳遞到高音。甚至可能有一個帶通濾波器，允許中音(語音)信號傳遞到中音揚聲器。
2024-09-04
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天線的阻抗匹配技術
雖然天線的形狀和尺寸多種多樣，但它們有一個共同點：需要在饋線末端施加阻抗匹配，以確保向負載傳輸最大功率。阻抗匹配電路非常簡單；它們充當濾波器，可確保天線的饋線阻抗與天線輸入端口的輸入阻抗相匹配。要在天線或其他 RF 電路元件實現阻抗匹配，最簡單的方法是從濾波的角度出發。
2024-08-25
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什么是S參數？
S參數量化了RF能量是如何通過系統傳播的，因而包含有關其基本特征的信息。使用S參數可以將最復雜的RF器件表示為簡單的N端口網絡。圖1顯示了一個雙端口未平衡網絡的例子，該網絡可用于表示許多標準RF元件，例如RF放大器、濾波器或衰減器等。
2024-08-09
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注意！這兩種三相電源濾波器的選擇有竅門！
在電力工程中，三相電力系統至少包含三個承載交流電壓的導體，該交變電壓會在三分之一周期時出現偏移（每個相均設置為相同的頻率和電壓振幅，但各相會偏移120°，從而在電氣循環期間實現恒定的功率傳輸）。下圖1展示了三相系統在一個周期的時域中瞬時電壓的典型波形。
2024-06-24
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一文了解SiC MOS的應用
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。
2024-06-20
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