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IR 推出P 溝道功率 MOSFET適用于直流應用開關

發(fā)布時間:2010-09-17

產(chǎn)品特性:

  • 改善了電流處理能力
  • 提供廣泛的導通電阻選擇
  • 可以簡化電路設計
  • 達到第一級潮濕敏感度標準

應用范圍:

  • 電池充電和放電開關
  • 直流應用的系統(tǒng)/負載開關




全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路,使其成為系統(tǒng)/負載開關應用非常理想的解決方案。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“相比上一代產(chǎn)品,這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力,更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇,以適應他們對溫度和成本的要求。同時,P 溝道技術也可以簡化電路設計。”

P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準,所采用的材料不含鉛,且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

 

新器件現(xiàn)已接受訂單,數(shù)據(jù)和應用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com

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