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瑞薩600V耐壓超結MOSFET導通電阻僅為150mΩ

發布時間:2012-07-02

產品特性:
  • 導通電阻僅為150mΩ
  • 柵源間電壓為±30V
  • 額定漏電流為20A
適用范圍:
  • 空調等家電產品

瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情況下,降低導通電阻的功率MOSFET的元件構造。雖然其他競爭公司已經推出了采用這種構造的功率MOSFET,但據瑞薩電子介紹,“RJL60S5系列”在600V耐壓產品中實現了業界最小水平的導通電阻。馬達驅動電路和逆變器等采用RJL60S5系列功率MOSFET后,可以降低功耗,該產品主要面向空調等家電產品。

RJL60S5系列的柵源間電壓為±30V,額定漏電流為20A。漏源間電壓為25V時,反饋電容為13pF(標稱值)。柵源間閾值電壓的最小值為3V,最大值為5V。內置快恢復二極管(FRD:Fast Recovery Diode),FRD的正向電壓為0.96V。該產品將FRD的反向恢復時間縮短至150ns,約相當于瑞薩原來的SJ型功率MOSFET的約1/3,因此還可應用于高速馬達驅動用途。

RJL60S5系列備有三種封裝的產品,分別是采用TO-220EP封裝的“RJL60S5DPP”,采用TO-3PSG封裝的“RJL60S5DPK”,以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產品的樣品價格均為200日元,將從2012年12月開始量產,量產規模方面,預定截至2013年3月達到月產50萬個。
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