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用Python自動(dòng)化雙脈沖測試
電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測試庫獲得德國萊茵TüV IEC 61508功能安全認(rèn)證
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其GD32F30x STL軟件測試庫獲得了德國萊茵TüV（以下簡稱“TüV萊茵”）頒發(fā)的IEC 61508 SC3（SIL 2/SIL 3）功能安全認(rèn)證證書，這也是繼GD32H7 STL軟件測試庫之后再次獲得的此類認(rèn)證，這意味著兆易創(chuàng)新在功能安全領(lǐng)域的布局已全面覆蓋了Arm? Cortex?-M7內(nèi)核高性能MCU和Arm? Cortex?-M4內(nèi)核主流型MCU的軟件測試庫，將為用戶在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供更豐富的產(chǎn)品選擇。
2024-10-18
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芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
致力于以安全、智能無線連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”），日前在首屆北美嵌入式世界展覽會(huì)（Embedded World North America）上發(fā)表了開幕主題演講，公司首席執(zhí)行官M(fèi)att Johnson和首席技術(shù)官Daniel Cooley探討了人工智能（AI）如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域的變革，同時(shí)詳細(xì)介紹了芯科科技不斷發(fā)展的第二代無線開發(fā)平臺(tái)所取得的持續(xù)成功以及即將推出的第三代無線開發(fā)平臺(tái)。
2024-10-18
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MSO 4B 示波器為工程師帶來更多臺(tái)式功率分析工具
持續(xù)測量 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能可能是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著設(shè)計(jì)師努力從硅基電源轉(zhuǎn)換器過渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等三相系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師面臨更多復(fù)雜問題。
2024-10-18
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第6講：SiC單晶生長技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-10-18
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意法半導(dǎo)體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導(dǎo)體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個(gè)便捷封裝內(nèi)配備 16 個(gè)輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設(shè)供電，完成硬件設(shè)計(jì)僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評(píng)估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開發(fā)者可立即開始開發(fā)應(yīng)用。
2024-10-18
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利用電容測試方法開創(chuàng)鍵合線檢測新天地
鍵合線廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和微電子領(lǐng)域。它能夠?qū)⒓呻娐罚?span id="vxpr3xlvffl" class='red'>IC）中的裸片與其他電子元器件（如晶體管和電阻器）進(jìn)行連接。鍵合線可在芯片的鍵合焊盤與封裝基板或另一塊芯片的相應(yīng)焊盤之間建立電氣連接。
2024-10-17
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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡稱QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
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貿(mào)澤電子發(fā)布全新電子書 深入探討電機(jī)控制設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新電子書，深入探討有關(guān)電機(jī)控制的話題。電機(jī)在許多產(chǎn)品中都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，這些產(chǎn)品涵蓋汽車、冰箱、園藝工具、電梯和空調(diào)等。為了實(shí)現(xiàn)更加可持續(xù)的未來，電機(jī)控制所面臨的一大挑戰(zhàn)，就在于盡可能提高效率的同時(shí)掌握與成本間的平衡。
2024-10-11
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歐盟關(guān)于待機(jī)功耗的法規(guī)限制愈發(fā)嚴(yán)格：簡單的新型電源IC能否滿足需求？
根據(jù)歐盟（EU）的研究，2015 年家用設(shè)備在關(guān)閉或待機(jī)模式下的年能耗估計(jì)為 59.4 TWh。這種電能浪費(fèi)導(dǎo)致了 2380 萬噸二氧化碳當(dāng)量的溫室氣體的排放。現(xiàn)在，設(shè)備制造商必須設(shè)計(jì)產(chǎn)品以將待機(jī)功耗控制在嚴(yán)格的限制范圍內(nèi)。但這并不總是一項(xiàng)復(fù)雜而昂貴的工作：正如本文所解釋，在AC-DC電源轉(zhuǎn)換器中添加一個(gè)簡單的 IC 就可以在設(shè)備插入時(shí)大幅節(jié)省功耗。
2024-10-11
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意法半導(dǎo)體公布2024年第三季度財(cái)報(bào)、電話會(huì)議及資本市場日直播時(shí)間
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)將在2024年10月31日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第三季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2024-10-09
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。
2024-10-08
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