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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū),解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="vxpr3xlvffl" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進行保護,從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動IGBT革新
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下,大功率IGBT迎來了新的春天,而這些應(yīng)用帶來新的課題,與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中,IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機理的分析,根據(jù)其損壞的原因,提供柵極保護、過壓、過流、過熱四大有效的保護措施,以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關(guān)橋式電路中,功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大,以滿足驅(qū)動IGBT的要求,所以,驅(qū)動電路設(shè)計的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動電路設(shè)計的合理性,使用時必須分析驅(qū)動電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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IGBT市場需求加大 供貨緊張持續(xù)到年底
隨著中國高鐵、地鐵、動車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動/混合動力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,市場對IGBT及其模塊的需求越來越大。據(jù)IHS iSuppli公司的研究,由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長,中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長,2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。
2011-06-28
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英飛凌600V功率開關(guān)器件家族又添新丁
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌科技600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。
2011-06-01
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2014年IGBT銷售額將增一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究,由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長,中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長,2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。
2011-04-18
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場效應(yīng)管在音響電路中的合理應(yīng)用
本文通過兩個容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點來說明場效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前,應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOsFET),而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的UHC、IGBT等,并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。
2011-04-08
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
2011-03-24
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