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超結MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用
儲能變流器，又稱雙向儲能逆變器，英文名PCS(Power Conversion System)，是儲能系統與電網中間實現電能雙向流動的核心部件，用作控制電池的充電和放電過程，進行交直流的變換。
2024-01-09
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超高壓MOS在變頻器上的應用
典型的AC380V變頻器應用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經過DC高壓降壓后為IGBT驅動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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SiC MOSFET用于電機驅動的優勢
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。
2023-12-20
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，并評估其動態行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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如何優化SiC柵級驅動電路？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。
2023-11-29
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商業、建筑和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。
2023-11-12
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能實現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統可靠性。
2023-11-12
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讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅逆變器
本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續航里程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔憂同時提升 OEM 對這種成熟的寬禁帶半導體技術的信心所做的努力。
2023-11-12
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通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的關鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們
如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。
2023-11-07
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高集成度智能柵極驅動光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。光耦由發光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內，彼此用透明絕緣體隔離。
2023-10-27
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